Nirschl, T: Circuit Applications of the Tunneling Field Effe
Die Verkleinerung der Strukturgrößen erhöht die parasitären Effekte des MOSFET. Um diese zu begrenzen, werden in zukünftigen Technologien neue Ansätze notwendig. Eine mögliche Lösung ist der Einsatz von Bauelementen,...
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Die Verkleinerung der Strukturgrößen erhöht die parasitären Effekte des MOSFET. Um diese zu begrenzen, werden in zukünftigen Technologien neue Ansätze notwendig. Eine mögliche Lösung ist der Einsatz von Bauelementen, die auf einem anderen Funktionsprinzip basieren als der MOSFET. Ein Beispiel ist der Tunnel- Feldeffekt-Transistor (TFET). Es wird gezeigt, wie der TFET in einen industriellen CMOS-Prozessfluss integriert werden kann. Von diesem Experiment wird ein neuartiges Verfahren abgeleitet, welches die Variation der Einsatzspannung von Feldeffekttransistoren ohne zusätzliche Prozessschritte ermöglicht. Mit MOSFET/TFET-Mischschaltungen werden Chip-Fläche und Verlustleistung reduziert. Weitere hier vorgeschlagene Schaltungen nutzen die inhärenten Eigenschaften des TFET, um neuartige Digitalschaltungen sowie verbesserte flüchtige und nichtflüchtige Speicherzellen und deren Ansteuerschaltungen zu realisieren.
Bibliographische Angaben
- Autor: Thomas Nirschl
- 2007, 117 Seiten, 3 farbige Abbildungen, Maße: 14,9 x 20,8 cm, Kartoniert (TB), Deutsch
- Verlag: Shaker
- ISBN-10: 3832263799
- ISBN-13: 9783832263799
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