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Heteroepitaxial Growth of III-Vs Epilayer on Si Substrate by AP-MOCVD

Fundamental Epitaxy Research (Sprache: Englisch)
 
 
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The III-V compound semiconductor is always relatively popular material due to its many interesting optical and electrical properties. On the other hand, there has been a longest evolution history of Si in the current semiconductor industries, a defect-free...
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