Regolin, I: Wachstum von Nanodrähten mittels der Metallorgan

entstanden sind. Innerhalb des InxGa1-xAs Materialsystems wurden Nanodrähte realisiert, bei denen der In- Gehalt kontrolliert zwischen 0 % und 100 % variiert wurde und somit den gesamten Wellen- längenbereich zwischen InAs und GaAs abgedeckt. Zur Kompositionsbestimmung konnte die hochauflösende Röntgendiffraktometrie für Nanodrähte erfolgreich adaptiert werden. Die Ergebnisse wurden mittels hochauflösender TEM Charakterisierung inklusiver EDS Analysen bestätigt. Heterostrukturen wurden im Rahmen dieser Arbeit sowohl in axialer als auch in radialer Anordnung realisiert, wobei für die Umhüllungen der gezielte Wechsel vom VLS- zum Schichtwachstum ausgenutzt wurde. Die Grenzflächenschärfe von axialen GaAs/GaP/GaAs Überstrukturen konnte mit Hilfe von optimierten Wachstumspausen während des Gruppe-V Wechsels bis an die Auflösungsgrenze der verwendeten EDS Messmethode verbessert wer- den. GaAs/InxGa1-xAs/GaAs Heterostrukturen konnten sowohl in axialer als auch radialer Richtung erzeugt werden. Dabei zeigt der axiale Materialwechsel, der ausschließlich durch den VLS-Modus erzeugt wird, keinen abrupten Übergang, was auf den Speichereffekt der Gruppe-III Elemente innerhalb der Goldpartikel zurückzuführen ist. Die radialen Übergänge, die hingegen durch Überlagerung mit konventionellem Schichtwachstum entstanden sind, zeigen anhand von EDS Messungen scharfe Kern-Mantel GaAs/InGaAs/GaAs Übergänge. Weiter konnten qualitativ hochwertige GaAs Nanodrähte auf Si Substrat gewachsen werden, was anhand intensiver Photolumineszens belegt wurde. Eine bevorzugte Wachstumsrichtung war erst nach optimierter Oberflächenpräparation mittels HF-Ätzschritten sowie erhöhten Ausheiztemperaturen erkennbar. Die bisher besten Ergebnisse wurde mit extern vorbereiteten Proben erzielt, auf denen bereits kurze Silizium Nanodrahtstümpfe auf einem (111) Silizium Substrat mittels MBE vorgewachsen wurden. Im Vergleich zu den strukturellen Eigenschaften verschiedener Halbleiternanodrähte und Nanodrahtheterostrukturen existieren derzeit wenig Ergebnisse zur kontrollierten Dotierung. Jedoch ist die Dotierung von Halbleitermaterialien die Voraussetzung zur Herstellung von elektronischen und optoelektronischen Bauelementen. Daher war die Dotierung von Na- nodrähten ein wesentlicher Teilbereich dieser Arbeit. Um die bereits beschriebene Dotie- rungsproblematik von Nanodrähten zu bearbeiten wurden unterschiedliche Ansätze verfolgt. Unter der Verwendung des p-Dotierstoffes DEZn konnten GaAs Nanodrähte erfolgreich do- tiert werden. Derzeit ist davon auszugehen, dass der Zn-Dotierstoff über das Goldpartikel in den Draht gelangt. Da Zink beliebig in Gold gelöst werden kann und daher keine feste Sätti- gungsgrenze vorhanden ist, beobachtet man einen Konzentrationsgradienten entlang des Drahtes, der stark vom Zn-Angebot abhängt. Stationäre Ladungsträgerkonzentrationen kön- nen sich durchaus erst nach einigen ?m Drahtlänge einstellen. Durch Variation des Zink- Angebotes konnten Ladungsträgerkonzentrationen zwischen 4,6x10 18 cm -3 und 2,3x10 19 cm -3 eingestellt werden. Eine Si (n)- bzw. C (p)-Dotierung mittels der Quellenmaterialien DitBuSi und CBr4 ist, für die in dieser Arbeit gewählten Wachstumsbedingungen, innerhalb des VLS- Wachstums nicht realisierbar. Im Falle von getaperten Strukturen, die bei höheren Wachs- tumstemperaturen entstehen, konnten mittels CBr4 p-dotierte Nanodrahthüllen realisiert wer- den. Neben den In-Situ MOVPE Dotierungsansätzen wurde die Ionenimplantation als erfolg- reiche alternative Methode zur Dotierung von GaAs Nanodrähten etabliert. Mittels der Im- plantation von Zn Akzeptoren und einer anschließenden Ausheizprozedur konnte die Leitfä- higkeit um den Faktor 10 4 erhöht werden. Darüber hinaus rekonstruiert sich die amorphisierte Struktur während dieses Ausheizschrittes nahezu komplett. Rechnungen dazu zeigen, dass eine Dotierstoffkonzentration von etwa 3,5x1018 cm -3 erzielt werden konnte. Als erste Nanodrahtbauelemente wurden MISFETs aus InAs Nanodrähten mit hervorra- gendem Sättigungsverhalten und sehr hohen Ausgangsströmen hergestellt. Zusätzlich konnte ein sehr hoher Steilheitswert extrahiert werden, was auf die exzellente Materialqualität der gewachsenen InAs Strukturen zurückzuführen ist. Obwohl diese Strukturen nominell undo- tiert sind, wurde eine n-Leitfähigkeitgerade mit Hilfe dieser Transistordaten nachgewiesen. Diese Eigenschaft konnte mit dem Fermilevelpinning innerhalb des Leitungsbandes erklärt werden, welche eine Elektronenanreicherung an der Oberfläche zur Folge hat. Darüber hinaus kann ein weiterer Beitrag dieses Effektes auch durch eine Kohlenstoffhintergrunddotierung aus den Quellenmaterialien stammen. Durch die Kombination von p-dotierten GaAs Na- nodrähten, die auf n-GaAs Substrat gewachsen wurden, konnten pn-Übergänge gefertigt wer- den, die neben der zu erwartenden Diodencharakteristik eine hohe Elektrolumineszens zeigen. Die vorliegende Arbeit stellte die wissenschaftliche Materialversorgung für eine Reihe von Projekten des Fachgebietes sicher, wie z. B. des Sonderforschungsbereiches SFB 445. Zudem trug diese Dissertation maßgeblich dazu bei, den Forschungsschwerpunkt Nanotech- nologie zu entwickeln, für den hoch aktuelle neue Forschungsaufgaben eingeworben werden konnten. Zukünftiger Schwerpunkt bleibt somit die Dotierung und die damit verbundene Rea- lisierung von pn-Übergängen innerhalb eines Nanodrahtes, um Leuchtdioden, Solarzellen und andere Bauelemente zu erzeugen.