Thermodynamic Basis of Crystal Growth

Name: Thermodynamic Basis of Crystal Growth
Brand: Springer, Berlin
SKU: 1819399
Price: 181.89 EUR
Availability: InStock
ISBN: 3540412468

Phase P-T-X Equilibrium and Non-Stoichiometry (Sprache: Englisch)

Autor: Jacob Greenberg

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Produktinformationen zu „Thermodynamic Basis of Crystal Growth “

Klappentext zu „Thermodynamic Basis of Crystal Growth “

This book covers the thermodynamic foundations of inorganic materials science and the controlled synthesis of inorganic materials. A new thermodynamic approach to the non-stoichiometry of crystalline solids, known as vapor pressure scanning, has been developed by the author and is described in detail in this book. It is based on the high-precision experimental determination of the boundaries of the single-phase volume of the solid in the pressure-temperature-composition P-T-X phase space. This approach has been tested on a number of inorganic materials and has been shown to have an unparalleled precision (up to 10-4 at.%) in the determination of non-stoichiometry directly at high temperatures (up to 1200 C). Along with the results obtained by the author and his colleagues, the P-T-X diagrams of other important materials (e.g., III-V, IV-VI semiconductors) are also discussed.

Inhaltsverzeichnis zu „Thermodynamic Basis of Crystal Growth “

1. Thermodynamic Fundamentals

2. Experimental Methods of Investigation of P-T-X Phase Equilibrium

3. Experimental Data on P-T-X Phase Diagrams and Non-Stoichiometry

4. Conclusion

Bibliographische Angaben

Autor: Jacob Greenberg
2001, 2002, VI, 249 Seiten, 126 Abbildungen, Maße: 16,4 x 24,6 cm, Gebunden, Englisch
Verlag: Springer, Berlin
ISBN-10: 3540412468
ISBN-13: 9783540412465
Erscheinungsdatum: 20.11.2001

Sprache:

Englisch

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