Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang- Bipolartransistoren

 
 
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In dieser Arbeit wurde die Zuverlässigkeit von Hochfrequenz- GaAs-Heteroübergang-Bipolartransistoren (HBTs), die am Ferdinand-Braun-Institut für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen (Mobilfunk, Weltraum) hergestellt...
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In dieser Arbeit wurde die Zuverlässigkeit von Hochfrequenz- GaAs-Heteroübergang-Bipolartransistoren (HBTs), die am Ferdinand-Braun-Institut für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen (Mobilfunk, Weltraum) hergestellt...

Kommentar zu "Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang- Bipolartransistoren"

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