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Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung (PDF)

 
 
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Die vorliegende Arbeit behandelt die Analyse und Optimierung von monolitisch integrierten Oszillatoren (MMIC-VCO) auf Gallium-Arsenid (GaAs). Der erste Teil beschäftigt sich mit der Kleinsignalmodellierung von GaAs-Feldeffekttransistoren (FETs) und...
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