Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices (ePub)
(Sprache: Englisch)
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride...
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Produktinformationen zu „Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices (ePub)“
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.
Autoren-Porträt von Yue Hao, Jin Feng Zhang, Jin Cheng Zhang
Yue Hao, Jin Feng Zhang, and Jin Cheng Zhang are affiliated with Xidian University, China.
Bibliographische Angaben
- Autoren: Yue Hao , Jin Feng Zhang , Jin Cheng Zhang
- 2016, 392 Seiten, Englisch
- Verlag: Taylor & Francis
- ISBN-10: 1315351838
- ISBN-13: 9781315351834
- Erscheinungsdatum: 03.11.2016
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eBook Informationen
- Dateiformat: ePub
- Größe: 9.77 MB
- Mit Kopierschutz
- Vorlesefunktion
Sprache:
Englisch
Kopierschutz
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