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"Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten (PDF)

 
 
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Die kontinuierliche Leistungssteigerung von integrierten Schaltungen, welche zu einem großen Teil auf der Miniaturisierung (Scaling) von MOSFETs beruht, wird in den nächsten Jahren an seine physikalischen Grenzen stoßen. Der Tunnel-Feldeffekt-Transistor...
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