Becker, E: Technologien für organische Feldeffekttransistore

Der erste Dünnfilm-Transistor, der den Feldeffekt in einem organischen Material nutzte, wurde 1986 durch Tsumura, Koezuka und Ando hergestellt. Seit dieser ersten Demonstration sind erhebliche Verbesserungen der elektrischen Eigenschaften der Bauelemente erreicht worden. Ein wichtiger Schritt war die Einführung von Pentacen als aktives Material, mit dem Transistoren mit Feldeffektbeweglichkeiten in der Gröÿenordnung von 1 cm2/Vs und darüber hinaus realisiert werden können. Als wichtiges Anwendungsgebiet für diese Technologie zeichnet sich die Displaytechnik ab. Die zur Aktiv-Matrix-Ansteuerung von hochauflösenden Flüssigkristall-Displays heute eingesetzten
a-Si:H-TFTs erfordern aufgrund der hohen Prozesstemperaturen bei der Siliziumabscheidung die Verwendung von Glassubstraten. Erheblich leichtere und flexible Kunststoffsubstrate können neue Anwendungen für Displays ermöglichen. Da die zur Herstellung von OTFTs erforderlichen Prozesstemperaturen niedrig und die organischen Schichten unempfindlich gegen mechanische Verformung sind, bieten Pentacen-OTFTs eine Alternative zur a-Si:H-Technologie.