Hochleistungs-GaN-Licht-Emissionsdiode
Eine Reliabilitätsstudie
Die Zuverlässigkeit von InGaN/GaN-Leuchtdioden (LEDs) mit verschiedenen Emissionswellenlängen und unterschiedlichen Geometrien wurde untersucht. Die Geräteleistungen, wie Strom-Spannungs-Charakteristik, 1/f-Rauschspektrum, Leckage, statischer Widerstand,...
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Produktinformationen zu „Hochleistungs-GaN-Licht-Emissionsdiode “
Klappentext zu „Hochleistungs-GaN-Licht-Emissionsdiode “
Die Zuverlässigkeit von InGaN/GaN-Leuchtdioden (LEDs) mit verschiedenen Emissionswellenlängen und unterschiedlichen Geometrien wurde untersucht. Die Geräteleistungen, wie Strom-Spannungs-Charakteristik, 1/f-Rauschspektrum, Leckage, statischer Widerstand, wurden gemessen. Die Bauelemente wurden einem 1000-stündigen Konstantstrom-Stresstest unterzogen und ihre optische Leistungsdegradation wurde untersucht. Die Ergebnisse wurden anhand von Querverweisdaten erklärt.
Autoren-Porträt von ZONGLIN LI
LI, ZONGLINZonglin Li erhielt den M.S.E.E.-Abschluss im Jahr 2009 von der University of Hong Kong, Hongkong. Derzeit arbeitet sie an der University of California in Riverside an ihrer Promotion in Elektrotechnik. Ihr Hauptinteresse gilt dem Galliumnitrid-basierten Bauelementprozess, der Technologie und der Integration auf einer Siliziumplattform.
Bibliographische Angaben
- Autor: ZONGLIN LI
- 2021, 72 Seiten, Maße: 22 cm, Kartoniert (TB), Deutsch
- Verlag: Verlag Unser Wissen
- ISBN-10: 6203558176
- ISBN-13: 9786203558173
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