MOS-Transistoren mit Nanometergeometrien in allen Raumrichtungen

 
 
Merken
Teilen
Merken
Teilen
 
 
Im Rahmen dieser Arbeit ist ein bestehendes Depositions- und Rückätzverfahren weiterentwickelt worden, mit dem Strukturen mit minimalen Linienweiten von bis zu 25 nm unter ausschließlicher Verwendung optischer Kontaktbelichtungslithografie...
lieferbar

Bestellnummer: 69117884

Buch18.05
In den Warenkorb
  • Kauf auf Rechnung
  • Kostenlose Rücksendung
  • In Ihre Filiale lieferbar
lieferbar

Bestellnummer: 69117884

Buch18.05
In den Warenkorb
Im Rahmen dieser Arbeit ist ein bestehendes Depositions- und Rückätzverfahren weiterentwickelt worden, mit dem Strukturen mit minimalen Linienweiten von bis zu 25 nm unter ausschließlicher Verwendung optischer Kontaktbelichtungslithografie...

Kommentar zu "MOS-Transistoren mit Nanometergeometrien in allen Raumrichtungen"

Andere Kunden kauften auch

Mehr Bücher von Christian Horst

Weitere Empfehlungen zu „MOS-Transistoren mit Nanometergeometrien in allen Raumrichtungen “

Weitere Artikel zum Thema

0 Gebrauchte Artikel zu „MOS-Transistoren mit Nanometergeometrien in allen Raumrichtungen“

ZustandPreisPortoZahlungVerkäuferRating
  • Kauf auf Rechnung
  • Kostenlose Rücksendung
  • In Ihre Filiale lieferbar