SiGe, GaAs, and InP Heterojunction Bipolar Transistors
(Sprache: Englisch)
HBT-Transistoren sind spezialisierte Bauelemente, die insbesondere zur Herstellung von Hochfrequenzschaltkreisen für Mobiltelephonie und Radarsysteme verwendet werden. Die erforderliche Ausdehnung des Frequenzbereiches auf Mikrowellen läßt sich nicht mit...
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Klappentext zu „SiGe, GaAs, and InP Heterojunction Bipolar Transistors “
HBT-Transistoren sind spezialisierte Bauelemente, die insbesondere zur Herstellung von Hochfrequenzschaltkreisen für Mobiltelephonie und Radarsysteme verwendet werden. Die erforderliche Ausdehnung des Frequenzbereiches auf Mikrowellen läßt sich nicht mit der herkömmlichen Silicium-Technologie, sondern nur mit moderneren Materialien wie SiGe und GaAs erreichen. Dieser Band behandelt alle wesentlichen Aspekte der Fertigung, Analyse und Testung von HBT-Elementen, wobei auch Fragen der Zuverlässigkeit und der Funktionsweise bei sehr hohen oder tiefen Temperaturen zur Sprache kommen. Mit über 300 informativen Abbildungen
Inhaltsverzeichnis zu „SiGe, GaAs, and InP Heterojunction Bipolar Transistors “
- Material Properties and Technologies- DC Performance
- RF and Transient Performance
- HBT Modeling
- Heterojunction Device Simulation
- Breakdown and Thermal Instability
- Reliability
- RF and Digital Circuits for Low-Voltage Applications
- Index
Bibliographische Angaben
- Autor: Jiann S. Yuan
- 1999, 1. Auflage., XVIII, 464 Seiten, Maße: 24,7 cm, Gebunden, Englisch
- Verlag: Wiley & Sons
- ISBN-10: 0471197467
- ISBN-13: 9780471197461
Sprache:
Englisch
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