Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)
Diss. Hrsg.: Fraunhofer IISB, Erlangen
In dieser Dissertation wird das homoepitaktische Wachstum von 4H-Siliziumkarbidschichten auf unterschiedlich verkippten Substraten untersucht. Weitere Schwerpunkte liegen auf dem Verhalten der Versetzungen, speziell der Basalflächenversetzungen, bei...
Leider schon ausverkauft
Buch
- Lastschrift, Kreditkarte, Paypal, Rechnung
- Kostenlose Rücksendung
Produktdetails
Produktinformationen zu „Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC) “
In dieser Dissertation wird das homoepitaktische Wachstum von 4H-Siliziumkarbidschichten auf unterschiedlich verkippten Substraten untersucht. Weitere Schwerpunkte liegen auf dem Verhalten der Versetzungen, speziell der Basalflächenversetzungen, bei der Epitaxie sowie auf der dotierungsinduzierten Fehlpassung zwischen Substrat und Schicht. Darüber hinaus wird das Charakterisierungsverfahren des defektselektiven Ätzens in einer Vergleichsstudie mittels Synchrotron-Röntgentopographie verifiziert.
Klappentext zu „Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC) “
In dieser Dissertation wird das homoepitaktische Wachstum von 4H-Siliziumkarbidschichten auf unterschiedlich verkippten Substraten untersucht. Weitere Schwerpunkte liegen auf dem Verhalten der Versetzungen, speziell der Basalflächenversetzungen, bei der Epitaxie sowie auf der dotierungsinduzierten Fehlpassung zwischen Substrat und Schicht. Darüber hinaus wird das Charakterisierungsverfahren des defektselektiven Ätzens in einer Vergleichsstudie mittels Synchrotron-Röntgentopographie verifiziert.
Bibliographische Angaben
- Autor: Birgit Kallinger
- 2011, XI, 206 Seiten, mit farbigen Abbildungen, Maße: 14,6 x 20,7 cm, Kartoniert (TB), Deutsch
- Verlag: Fraunhofer Verlag
- ISBN-10: 3839603420
- ISBN-13: 9783839603420
Kommentar zu "Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)"
0 Gebrauchte Artikel zu „Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)“
| Zustand | Preis | Porto | Zahlung | Verkäufer | Rating |
|---|
Schreiben Sie einen Kommentar zu "Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)".
Kommentar verfassen