Terrestrial Neutron-induced Soft Error In Advanced Memory Devices (PDF)
(Sprache: Englisch)
Terrestrial neutron-induced soft errors in semiconductor memory devices are currently a major concern in reliability issues. Understanding the mechanism and quantifying soft-error rates are primarily crucial for the design and quality assurance of...
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Produktinformationen zu „Terrestrial Neutron-induced Soft Error In Advanced Memory Devices (PDF)“
Terrestrial neutron-induced soft errors in semiconductor memory devices are currently a major concern in reliability issues. Understanding the mechanism and quantifying soft-error rates are primarily crucial for the design and quality assurance of semiconductor memory devices.This book covers the relevant up-to-date topics in terrestrial neutron-induced soft errors, and aims to provide succinct knowledge on neutron-induced soft errors to the readers by presenting several valuable and unique features.
Bibliographische Angaben
- Autoren: Takashi Nakamura , Eishi Ibe , Mamoru Baba
- 2008, 368 Seiten, Englisch
- Verlag: World Scientific Publishing Company
- ISBN-10: 9812778829
- ISBN-13: 9789812778826
- Erscheinungsdatum: 28.03.2008
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eBook Informationen
- Dateiformat: PDF
- Größe: 13 MB
- Mit Kopierschutz
Sprache:
Englisch
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