Fundamentals of Modern VLSI Devices
(Sprache: Englisch)
A thoroughly updated third edition of this classic text, perfect for practical transistor design and in the classroom.
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Produktinformationen zu „Fundamentals of Modern VLSI Devices “
Klappentext zu „Fundamentals of Modern VLSI Devices “
A thoroughly updated third edition of this classic text, perfect for practical transistor design and in the classroom.
Inhaltsverzeichnis zu „Fundamentals of Modern VLSI Devices “
Prefaces; Physical constants and unit conversions; List of symbols; 1. Introduction; 2. Basic device physics; 3. p-n junctions and metal-silicon contacts; 4. MOS capacitors; 5. MOSFETs: long channel; 6. MOSFETs: short channel; 7. Silicon-on-insulator and double-gate MOSFETs; 8. CMOS performance factors; 9. Bipolar devices; 10. Bipolar device design; 11. Bipolar performance factors; 12. Memory devices; References; Index.
Autoren-Porträt von Yuan Taur, Tak H. Ning
University of California, San Diego
Bibliographische Angaben
- Autoren: Yuan Taur , Tak H. Ning
- 700 Seiten, Gebunden, Englisch
- Verlag: CAMBRIDGE
- ISBN-10: 1108480020
- ISBN-13: 9781108480024
- Erscheinungsdatum: 10.02.2022
Sprache:
Englisch
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