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Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors

(Sprache: Englisch)
Autor: Amit Chaudhry
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Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors gives comprehensive coverage of the fundamental physical principles and theory behind nanoscale transistors. The specific issues that arise for nanoscale MOSFETs, such as quantum mechanical tunneling and...
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Produktdetails
Produktinformationen zu „Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors “
Klappentext zu „Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors “
Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors gives comprehensive coverage of the fundamental physical principles and theory behind nanoscale transistors. The specific issues that arise for nanoscale MOSFETs, such as quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization, are fully explored. The solutions to these issues, such as high-¿ technology, strained-Si technology, alternate devices structures and graphene technology are also given. Some case studies regarding the above issues and solution are also given in the book.
Inhaltsverzeichnis zu „Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors “
Scaling of a MOS Transistor.- Nanoscale Effects- Gate Oxide Leakage Currents.- Nanoscale Effects- Inversion Layer Quantization.- Dielectrics for Nanoelectronics.- Germanium Technology.- Biaxial s-Si Technology.- Uniaxial s-Si Technology.- Alternate MOS Structures.- Graphene Technology.
Bibliographische Angaben

  • Autor: Amit Chaudhry
  • XIV, 201 Seiten, 98 farbige Abbildungen, 20 Schwarz-Weiß-Abbildungen, Maße: 16 x 24,1 cm, Gebunden, Englisch
  • Verlag: Springer US
  • ISBN-10: 1461468213
  • ISBN-13: 9781461468219
  • Erscheinungsdatum: 23.04.2013

Sprache:
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