Halbleiterprobleme
In Referaten des Halbleiterausschusses des Verbandes Deutscher Physikalischer Gesellschaften Mainz 1955
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Produktdetails
Produktinformationen zu „Halbleiterprobleme “
Inhaltsverzeichnis zu „Halbleiterprobleme “
Befreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7.
Bibliographische Angaben
- 2014, 1956, VII, 280 Seiten, Maße: 17 x 24,4 cm, Kartoniert (TB), Deutsch
- Herausgegeben: W. Schottky
- Verlag: Springer, Berlin
- ISBN-10: 3662161117
- ISBN-13: 9783662161111
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