Hybrid-Gasphasenepitaxie zur Herstellung von Aluminiumgalliumnitrid
Diese Arbeit zeigt, wie die epitaktische Abscheidung von AlGaN-Schichten im gesamten Kompositionsbereich mittels Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) realisiert wird.
Die Optimierung eines für die Abscheidung verwendeten Quarzglasreaktors und das AlGaN-Wachstum...
Die Optimierung eines für die Abscheidung verwendeten Quarzglasreaktors und das AlGaN-Wachstum...
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Produktinformationen zu „Hybrid-Gasphasenepitaxie zur Herstellung von Aluminiumgalliumnitrid “
Klappentext zu „Hybrid-Gasphasenepitaxie zur Herstellung von Aluminiumgalliumnitrid “
Diese Arbeit zeigt, wie die epitaktische Abscheidung von AlGaN-Schichten im gesamten Kompositionsbereich mittels Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) realisiert wird.Die Optimierung eines für die Abscheidung verwendeten Quarzglasreaktors und das AlGaN-Wachstum durch ein quasi-thermodynamisches Modell werden detailliert beschrieben. Eine entscheidende Verbesserung der AlGaN-Materialqualität wird durch das Verfahren des epitaktisch lateralen Überwachsens strukturierter Substrate sowie durch Parameterstudien zum Substratfehlschnitt, Gesamtdruck und V/III-Verhältnis erreicht.
Die Untersuchung struktureller und optischer Eigenschaften des abgeschiedenen Materials zeigt, dass die HVPE ein geeignetes Verfahren ist, um dicke, einheitlich orientierte, transparente AlGaN-Schichten herzustellen.
Bibliographische Angaben
- Autor: Sylvia Hagedorn
- 176 Seiten, Maße: 14,8 x 21 cm, Kartoniert (TB), Deutsch
- Verlag: Cuvillier Verlag
- ISBN-10: 3954049856
- ISBN-13: 9783954049851
- Erscheinungsdatum: 20.05.2015
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