Technologie der III/V-Halbleiter

1: Herstellung von III/V- Halbleiter-Heterostrukturen.- 0 Einleitung.- 1 Halbleiter-Materialsysteme.- 1.1 Definition des "Halbleiters".- 1.2 Kristallstruktur der Verbindungshalbleiter.- 1.3 Halbleiterschichtsysteme.- 1.3.1 Gitterangepaßte Halbleiter-Schichtsysteme.- 1.3.2 Gitterfehlangepaßte Halbleiter-Schichtsysteme.- 1.4 Literatur.- 2 Halbleiterkristallzucht (GaAs).- 2.1 Ausgangsstoffe.- 2.2 Kristallzuchtverfahren.- 2.2.1 Kristallisation im Quarztiegel (Bridgman-Verfahren).- 2.2.2 Schutzschmelze-Verfahren (LEC).- 2.3 Herstellung der Wafer.- 2.4 Literatur.- 3 Herstellung aktiver Bauelementschichten.- 3.1 Dotierverfahren.- 3.1.1 Diffusion.- 3.1.2 Ionenimplantation.- 3.2 Epitaxie.- 3.2.1 Flüssigphasenepitaxie (LPE).- 3.2.2 Molekularstrahlepitaxie (MBE).- 3.2.2.1 Grundzüge des MBE-Wachstumsprozesses.- 3.2.2.2 Methodische Anwendungsbeispiele.- 3.2.2.3 Apparativer Aufbau der MBE-Anlage.- 3.2.3 Metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE).- 3.2.3.1 Grundzüge des MOVPE-Wachstumsprozesses.- 3.2.3.2 Epitaxieparameter des MOVPE-Prozesses.- 3.2.3.3 Aufbau der Anlage.- 3.2.4 Epitaxie mit gaseförmigen Quellen im UHV.- 3.3 Literatur.- 4 Material-Charakterisierung von Halbleiter-Heterostrukturen.- 4.1 Photolumineszenz.- 4.1.1 Theoretische Grundlagen.- 4.1.2 Meßaufbau.- 4.1.3 Anwendungsbeispiele.- 4.1.3.1 Undotiertes GaAs.- 4.1.3.2 Undotiertes AIxGa1-xAs.- 4.1.3.3 Dotierte Halbleiter.- 4.1.3.4 Quantenbrunnen.- 4.2 Röntgenbeugung.- 4.2.1 Theoretische Grundlagen.- 4.2.2 Meßautbau.- 4.2.3 Anwendungsbeispiele.- 4.2.3.1 Gitterfehlanpassung.- 4.2.3.2 Chemische Zusammensetzung.- 4.2.3.3 Periodenlänge eines Übergitters.- 4.2.3.4 Epitaxieschichtdicke.- 4.2.3.5 Überordnung in ternären Mischkristallhalbleitern.- 4.3 Literatur.- 2: Technologie elektronischer Höchstfrequenz-Bauelemente.- 5 Abscheidung und Charakterisierung dielektrischer Schichten.- 5.1 Materialien für dielektrische Schichten.- 5.2 Verfahren zur Deposition auf III/V-Halbleitern.- 5.2.1 Kathodenzerstäubung (Sputtern).-5.2.2