Technologie hochintegrierter Schaltungen
Dieses Buch beschreibt kompetent und umfassend die aktuellen Technologien zur Herstellung von hochintegrierten Schaltungen bis zur Prozeßintegration für den 256-Mbit-Speicher. Es wendet sich damit an fortgeschrittene Studenten sowie Ingenieure und...
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Produktinformationen zu „Technologie hochintegrierter Schaltungen “
Klappentext zu „Technologie hochintegrierter Schaltungen “
Dieses Buch beschreibt kompetent und umfassend die aktuellen Technologien zur Herstellung von hochintegrierten Schaltungen bis zur Prozeßintegration für den 256-Mbit-Speicher. Es wendet sich damit an fortgeschrittene Studenten sowie Ingenieure und Naturwissenschaftler in Forschung, Entwicklung und Fertigung. Die gewaltigen Entwicklungen in der Prozeßtechnologie der letzten Jahre finden sich in dieser Neuauflage wieder: Planarisierungstechniken, neue Materialien wie Refraktärmetalle, modernste Prozeßarchitekturen für CMOS-, Bipolar-, BICMOS- und Smart-Power-Technologien. Hinzu kommen wesentlich verbesserte Einzelprozesse in Schichttechnik, Lithographie, Ätztechnik und Dotiertechnik mit selbstjustierenden Verfahren. Die Autoren, selbst aktiv an diesen Fortschritten beteiligt, geben Informationen aus erster Hand.
Inhaltsverzeichnis zu „Technologie hochintegrierter Schaltungen “
1 Einleitung.- 2 Grundzüge der Technologie von Integrierten Schaltungen.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Schichttechnik.- 3.1 Verfahren der Schichterzeugung.- 3.1.1 CVD-Verfahren.- 3.1.2 Thermische Oxidation.- 3.1.3 Aufdampfverfahren.- 3.1.4 Sputterverfahren.- 3.1.5 Schleuderbeschichtung.- 3.1.6 Schichterzeugung mittels Ionenimplantation.- 3.1.7 Schichterzeugung mittels Wafer-Bonding und Rückätzen.- 3.1.8 Temperverfahren.- 3.2 Die monokristalline Siliziumscheibe.- 3.2.1 Geometrie und Kristallographie von Siliziumscheiben.- 3.2.2 Dotierung von Siliziumscheiben.- 3.2.3 Zonengezogenes und tiegelgezogenes Silizium.- 3.3 Epitaxieschichten.- 3.3.1 Anwendung von Epitaxieschichten.- 3.3.2 Diffusion von Dotieratomen aus dem Substrat in die Epitaxieschicht.- 3.4 Thermische SiO2-Schichten.- 3.4.1 Anwendung von thermischen SiO2-Schichten.- 3.4.2 Die LOCOS-Technik.- 3.4.3 Charakterisierung von dünnen thermischen SiO2-Schichten.- 3.5 Abgeschiedene SiO2-Schichten.- 3.5.1 Erzeugung von abgeschiedenen SiO2-Schichten.- 3.5.2 Anwendung abgeschiedener SiO2-Schichten.- 3.5.3 Spacertechnik.- 3.5.4 Grabenisolation.- 3.5.5 SiO2-Isolationsschichten für die Mehrlagenverdrahtung.- 3.6 Phosphorglasschichten.- 3.6.1 Erzeugung von Phosphorglasschichten.- 3.6.2 Flow-Glas.- 3.6.3 Thermisches Phosphorglas.- 3.7 Siliziumnitridschichten.- 3.7.1 Erzeugung von Siliziumnitridschichten.- 3.7.2 Nitridschichten als Oxidationssperre.- 3.7.3 Nitridschichten als Kondensator-Dielektrikum.- 3.7.4 Nitridschichten als Passivierung.- 3.8 Polysiliziumschichten.- 3.8.1 Erzeugung von Polysiliziumschichten.- 3.8.2 Kornstruktur von Polysiliziumschichten.- 3.8.3 Leitfähigkeit von Polysiliziumschichten.- 3.8.4 Anwendung von Polysiliziumschichten.- 3.9 Silizidschichten.- 3.9.1 Erzeugung von Silizidschichten.- 3.9.2 Polyzidschichten.- 3.9.3 Silizierung von Source/Drain-Bereichen.- 3.10 Refraktär-Metallschichten.- 3.11 Aluminiumschichten.- 3.11.1 Erzeugung von Aluminiumschichten.- 3.11.2 Kristallstruktur von
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Aluminiumschichten.- 3.11.3 Elektromigration in Aluminiumleiterbahnen.- 3.11.4 Aluminium-Siliziumkontakte.- 3.11.5 Aluminium-Aluminium-Kontakte.- 3.12 Organische Schichten.- 3.12.1 Spin-on-Glasschichten.- 3.12.2 Polyimidschichten.- 3.13 Literatur zu Kapitel 3.- 4 Lithographie.- 4.1 Strukturgröße, Lagefehler und Defekte.- 4.2 Photolithographie.- 4.2.1 Photoresistschichten.- 4.2.2 Ausbildung von Photoresiststrukturen.- 4.2.3 Schwankung der Lichtintensität im Photoresist.- 4.2.4 Spezielle Photoresisttechniken.- 4.2.5 Optische Belichtungsverfahren.- 4.2.6 Auflösungsvermögen der lichtoptischen Belichtungsgeräte.- 4.2.7 Justiergenauigkeit von lichtoptischen Belichtungsgeräten.- 4.2.8 Defekte bei der lichtoptischen Lithographie.- 4.3 Röntgenlithographie.- 4.3.1 Wellenlängenbereich für die Röntgenlithographie.- 4.3.2 Röntgenresists.- 4.3.3 Röntgenquellen.- 4.3.4 Röntgenmasken.- 4.3.5 Justierverfahren der Röntgenlithographie.- 4.3.6 Strahlenschäden bei der Röntgenlithographie.- 4.3.7 Chancen der Röntgenlithographie.- 4.4 Elektronenlithographie.- 4.4.1 Elektronenresists.- 4.4.2 Auflösungsvermögen der Elektronenlithographie.- 4.4.3 Elektronenstrahlschreibgeräte.- 4.4.4 Elektronenprojektionsgeräte.- 4.4.5 Justierverfahren der Elektronenlithographie.- 4.4.6 Strahlenschäden bei der Elektronenlithographie.- 4.5 Ionenlithographie.- 4.5.1 Ionenresists.- 4.5.2 Ionenstrahlschreiben.- 4.5.3 Ionenstrahlprojektion.- 4.5.4 Auflösungsvermögen der Ionenlithographie.- 4.6 Strukturerzeugung ohne Lithographie.- 4.7 Literatur zu Kapitel 4.- 5 Ätztechnik.- 5.1 Naßätzen.- 5.1.1 Naßchemisches Ätzen.- 5.1.2 Chemisch-Mechanisches Polieren.- 5.2 Trockenätzen.- 5.2.1 Physikalisches Trockenätzen.- 5.2.2 Chemisches Trockenätzen.- 5.2.3 Chemisch-Physikalisches Trockenätzen.- 5.2.4 Chemische Ätzreaktionen.- 5.2.5 Ätzgase.- 5.2.6 Prozeßoptimierung.- 5.2.7 Endpunkterkennung.- 5.3 Trockenätzprozesse.- 5.3.1 Trockenätzen von Siliziumnitrid.- 5.3.2 Trockenätzen von Polysilizium.- 5.
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Bibliographische Angaben
- Autoren: Dietrich Widmann , Hermann Mader , Hans Friedrich
- 2012, 2. Aufl., 366 Seiten, Maße: 23,5 cm, Kartoniert (TB), Deutsch
- Verlag: Springer
- ISBN-10: 3642648320
- ISBN-13: 9783642648328
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