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Nanoscale Redox Reaction at Metal/Oxide Interface / NIMS Monographs (PDF)

A Case Study on Schottky Contact and ReRAM (Sprache: Englisch)
 
 
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Oxide materials are good candidates for replacing Si devices, which are increasingly reaching their performance limits, since the former offer a range of unique properties, due to their composition, design and/or doping techniques.

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Kommentar zu "Nanoscale Redox Reaction at Metal/Oxide Interface / NIMS Monographs"
 
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